一、化學氣相沉積法簡介

現代薄膜制(zhi)備方法(fa)包括物理氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)（Physical Vapor Deposition，簡稱(cheng)PVD），化(hua)學(xue)(xue)氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)（Chemical Vapor Deposition，簡稱(cheng)CVD）和等離子體(ti)氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)（Plasma Chemical Vapor Deposition，簡稱(cheng)PCVD）。其(qi)中，化(hua)學(xue)(xue)氣相(xiang)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)（CVD）是反應(ying)物質在(zai)氣氛條件下發生(sheng)化(hua)學(xue)(xue)反應(ying)，生(sheng)成(cheng)固(gu)態物質沉(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)在(zai)加熱的(de)固(gu)態基體(ti)表面，進而制(zhi)得固(gu)體(ti)材料的(de)工藝技(ji)術。CVD是目(mu)前應(ying)用(yong)最為(wei)廣泛的(de)制(zhi)備方法(fa)，其(qi)技(ji)術發展及研究(jiu)也(ye)最為(wei)成(cheng)熟，廣泛用(yong)于提純物質、制(zhi)備各種單晶、多(duo)晶或玻璃態無機薄膜材料。

二、化學氣相沉積法原理

CVD的(de)(de)原理過程(cheng)(cheng)是(shi)：將(jiang)兩(liang)種或兩(liang)種以上的(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)態原材(cai)料(liao)導入到(dao)(dao)(dao)一(yi)(yi)個(ge)反(fan)(fan)應(ying)(ying)室內(nei)，氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)態原材(cai)料(liao)之間發生化(hua)(hua)學反(fan)(fan)應(ying)(ying)，形成一(yi)(yi)種新的(de)(de)材(cai)料(liao)，并沉(chen)積(ji)到(dao)(dao)(dao)基(ji)體(ti)表(biao)(biao)面(mian)(mian)上。先將(jiang)反(fan)(fan)應(ying)(ying)物(wu)(wu)加(jia)熱到(dao)(dao)(dao)一(yi)(yi)定溫度，達(da)到(dao)(dao)(dao)足夠高的(de)(de)蒸汽(qi)壓，用氬氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)或者氫(qing)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)作為(wei)載氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)送(song)入反(fan)(fan)應(ying)(ying)器（在(zai)反(fan)(fan)應(ying)(ying)器內(nei)，被涂材(cai)料(liao)或用金屬絲(si)懸掛(gua)，或放在(zai)平面(mian)(mian)上，或沉(chen)沒在(zai)粉末的(de)(de)流化(hua)(hua)床中(zhong)，或本(ben)身(shen)就是(shi)流化(hua)(hua)床中(zhong)的(de)(de)顆粒(li)）。化(hua)(hua)學反(fan)(fan)應(ying)(ying)器中(zhong)，發生的(de)(de)產物(wu)(wu)會沉(chen)積(ji)到(dao)(dao)(dao)被涂物(wu)(wu)的(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)(mian)，廢氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)則多(duo)為(wei)HC1或HF被導向(xiang)堿性吸收或冷阱。除了需要(yao)得到(dao)(dao)(dao)的(de)(de)固(gu)態沉(chen)積(ji)物(wu)(wu)外，化(hua)(hua)學反(fan)(fan)應(ying)(ying)的(de)(de)生成物(wu)(wu)都必(bi)須是(shi)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)態沉(chen)積(ji)物(wu)(wu)本(ben)身(shen)的(de)(de)飽(bao)和蒸氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)壓應(ying)(ying)足夠低，以保(bao)證它(ta)在(zai)整個(ge)反(fan)(fan)應(ying)(ying)、沉(chen)積(ji)過程(cheng)(cheng)中(zhong)都一(yi)(yi)直(zhi)保(bao)持在(zai)加(jia)熱的(de)(de)襯底上。原理過程(cheng)(cheng)可概(gai)括為(wei)四個(ge)主要(yao)的(de)(de)反(fan)(fan)應(ying)(ying)階(jie)段：1、反(fan)(fan)應(ying)(ying)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)向(xiang)襯底表(biao)(biao)面(mian)(mian)擴散；2、反(fan)(fan)應(ying)(ying)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)被吸附于襯底表(biao)(biao)面(mian)(mian)；3、在(zai)材(cai)料(liao)表(biao)(biao)面(mian)(mian)發生化(hua)(hua)學反(fan)(fan)應(ying)(ying)；4、氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)態副產物(wu)(wu)脫離材(cai)料(liao)表(biao)(biao)面(mian)(mian)。

圖 1 CVD的基(ji)本工藝流(liu)程

所選擇的(de)化學(xue)反(fan)應(ying)通常應(ying)該(gai)滿(man)足：①反(fan)應(ying)物質在室溫(wen)或不太高的(de)溫(wen)度下最(zui)好是氣態(tai)，或有(you)(you)很高的(de)蒸汽(qi)壓，且(qie)有(you)(you)很高的(de)純(chun)度；②通過沉(chen)積反(fan)應(ying)能夠形成所需(xu)要的(de)材料沉(chen)積層；③反(fan)應(ying)易于控制在沉(chen)積溫(wen)度下，反(fan)應(ying)物必須有(you)(you)足夠高的(de)蒸汽(qi)壓。

圖 2 CVD反應系統示意圖

三、化學氣相沉積法的特點

1、沉積物種類(lei)多(duo)：可(ke)以(yi)沉積金屬(shu)薄膜(mo)、非(fei)金屬(shu)薄膜(mo)，也可(ke)以(yi)按要求(qiu)制備多(duo)組分合金的薄膜(mo)，以(yi)及陶瓷(ci)或化合物層。

2、可(ke)以(yi)在常壓或者(zhe)真空條件下負壓進行沉(chen)積，通(tong)常真空沉(chen)積膜層質(zhi)量較好

3、涂層(ceng)的化學成(cheng)分可以隨氣(qi)相組成(cheng)的改變(bian)而(er)變(bian)化，從而(er)獲得(de)梯度沉積物或者得(de)到混合鍍層(ceng)；

4、繞鍍(du)件好。可以在復(fu)雜(za)(za)形狀的基體以及顆(ke)粒材料(liao)上鍍(du)膜，適合涂覆各種復(fu)雜(za)(za)形狀的工件（如帶溝、槽、孔(kong)，甚至(zhi)是盲孔(kong)的工件），膜厚度(du)較均勻，膜層質量(liang)(liang)穩定，易(yi)于實(shi)現(xian)批量(liang)(liang)生產；

5、沉積層(ceng)通常具有柱狀晶體結構(gou)，不耐彎曲，但可通過各種(zhong)技術對化學反應進行氣相擾(rao)動(dong)，以改善其結構(gou)。有研究表(biao)明運用CVD技術在其基體表(biao)面沉積高耐磨(mo)性的碳化物(wu)、氮(dan)化物(wu)、碳氮(dan)化物(wu)、硼化物(wu)等(deng)以及(ji)金剛(gang)石薄膜，具有比硬質(zhi)合金高100倍(bei)以上的耐磨(mo)性。

但同時，化學氣相沉積(ji)也存在一些缺(que)點：

1、沉積速率不(bu)(bu)太高，一(yi)般在幾(ji)～幾(ji)百(bai)nm/min，不(bu)(bu)如蒸發和(he)離(li)子(zi)鍍(du)，甚至低(di)于濺射鍍(du)膜(mo)；

2、在(zai)不(bu)少場(chang)合下，參加(jia)沉(chen)積的(de)(de)反應源(yuan)和反應后的(de)(de)余氣易(yi)燃、易(yi)爆或有毒，因此需(xu)要采取防(fang)止環境污染的(de)(de)措施；對設備來說(shuo)，往往還有耐腐(fu)蝕的(de)(de)要求(qiu)；

3、基體需(xu)要局部或某(mou)一個(ge)表面(mian)沉(chen)積薄膜時(shi)很困難，不(bu)如PVD技術來得方便；

4、即使采(cai)取了一(yi)些新的(de)技(ji)術，CVD成膜時(shi)的(de)工件溫度仍(reng)然(ran)高于PVD技(ji)術，因此應用上受到一(yi)定的(de)限(xian)制。

四、化學氣相沉積法的分類

1、按溫(wen)(wen)(wen)度，可分為(wei)低溫(wen)(wen)(wen)（200~ 500℃）、中(zhong)溫(wen)(wen)(wen)（500 ~ 1000℃）和(he)高溫(wen)(wen)(wen)（1000 ~ 1300℃）。

2、按(an)壓力，有(you)常壓（APCVD） 和低壓（LPCVD）CVD。常壓化(hua)學氣(qi)相淀(dian)積(ji)(ji)(APCVD，Atmospheric Pressure CVD），是(shi)(shi)指(zhi)在(zai)大氣(qi)壓下進行的一(yi)種(zhong)(zhong)化(hua)學氣(qi)相淀(dian)積(ji)(ji)的方(fang)法，這是(shi)(shi)化(hua)學氣(qi)相淀(dian)積(ji)(ji)最(zui)初所(suo)采用(yong)的方(fang)法。這種(zhong)(zhong)工藝(yi)所(suo)需的系統簡單，反(fan)應速度快，淀(dian)積(ji)(ji)速率高，特別適(shi)于(yu)(yu)介質淀(dian)積(ji)(ji)，但(dan)是(shi)(shi)它的缺點是(shi)(shi)均(jun)勻性較差，所(suo)以，APCVD一(yi)般用(yong)在(zai)厚的介質淀(dian)積(ji)(ji)。低壓化(hua)學氣(qi)相淀(dian)積(ji)(ji)（LPCVD，Low Pressure CVD）是(shi)(shi)指(zhi)系統工作在(zai)較低的壓強下的一(yi)種(zhong)(zhong)化(hua)學氣(qi)相淀(dian)積(ji)(ji)的方(fang)法。LPCVD技術(shu)不僅用(yong)于(yu)(yu)制(zhi)備硅(gui)外延層，還廣泛用(yong)于(yu)(yu)各(ge)種(zhong)(zhong)無定(ding)形鈍化(hua)膜及多晶(jing)硅(gui)薄膜的淀(dian)積(ji)(ji)，是(shi)(shi)一(yi)種(zhong)(zhong)重要的薄膜淀(dian)積(ji)(ji)技術(shu)。

3、按(an)反(fan)(fan)應(ying)室壁(bi)溫(wen)度，有熱(re)壁(bi)CVD和冷(leng)壁(bi)CVD 。熱(re)壁(bi)是指壁(bi)溫(wen)高于(yu)(yu)晶(jing)片溫(wen)度，通常是在反(fan)(fan)應(ying)室外采用電阻發(fa)熱(re)方(fang)式(shi)透過(guo)室壁(bi)對晶(jing)片進(jin)行(xing)加熱(re)。冷(leng)壁(bi)是指壁(bi)溫(wen)低于(yu)(yu)晶(jing)片溫(wen)度，可采用射頻感(gan)應(ying)或(huo)電阻發(fa)熱(re)方(fang)式(shi)在反(fan)(fan)應(ying)室內對基(ji)座進(jin)行(xing)加熱(re)。

4、按反應激活方(fang)式(shi)，有(you)等(deng)(deng)離子激活 （PECVD） 、熱激活和紫外光(guang)激活等(deng)(deng)。 等(deng)(deng)離子體(ti)增(zeng)強化(hua)學(xue)氣(qi)(qi)相(xiang)(xiang)淀(dian)積（PECVD，Plasma Enhanced CVD）是指采用(yong)高(gao)頻(pin)等(deng)(deng)離子體(ti)驅(qu)動的一(yi)種(zhong)氣(qi)(qi)相(xiang)(xiang)淀(dian)積技術，是一(yi)種(zhong)射頻(pin)輝光(guang)放電的物(wu)理過程和化(hua)學(xue)反應相(xiang)(xiang)結合的技術。該氣(qi)(qi)相(xiang)(xiang)淀(dian)積的方(fang)法可以在(zai)非常低的襯(chen)底溫度下(xia)淀(dian)積薄膜，例(li)如在(zai)鋁（A1）上(shang)淀(dian)積Si02，工(gong)藝上(shang)等(deng)(deng)離子體(ti)增(zeng)強化(hua)學(xue)氣(qi)(qi)相(xiang)(xiang)淀(dian)積主要用(yong)于(yu)淀(dian)積絕緣層。

五、新型化學氣相沉積技術

1、金屬有機(ji)化合(he)物化學氣相沉積技(ji)術（MOCVD）

MOCVD是一(yi)種利用(yong)低溫(wen)下易(yi)分解和揮發的(de)(de)金屬(shu)有機化(hua)合(he)物作為物質源(yuan)進(jin)行化(hua)學氣相沉積(ji)(ji)的(de)(de)方(fang)法，主要用(yong)于(yu)化(hua)合(he)物半(ban)導體(ti)氣相生長方(fang)面。與傳(chuan)統CVD相比(bi)，MOCVD的(de)(de)沉積(ji)(ji)溫(wen)度(du)(du)較低，能沉積(ji)(ji)超薄層至原料(liao)層的(de)(de)特殊結構表(biao)(biao)面，可(ke)在不(bu)同的(de)(de)基底表(biao)(biao)面沉積(ji)(ji)不(bu)同的(de)(de)薄膜。因此，對于(yu)那些不(bu)能承受常(chang)規CVD高溫(wen)，而要求采(cai)用(yong)中低溫(wen)度(du)(du)的(de)(de)基體(ti)有很高的(de)(de)應用(yong)價值(zhi)。

2、等離子體增強化學氣(qi)相沉積（PECVD）

等離子(zi)體(ti)(ti)是(shi)在(zai)低真空條件(jian)下，利用直流(liu)電(dian)壓、交流(liu)電(dian)壓、射頻、微波或電(dian)子(zi)回(hui)旋共振等方(fang)法實(shi)現氣體(ti)(ti)輝光放電(dian)在(zai)沉積反應(ying)(ying)(ying)器中(zhong)(zhong)形成的(de)(de)。由于等離子(zi)體(ti)(ti)中(zhong)(zhong)正離子(zi)、電(dian)子(zi)和中(zhong)(zhong)性反應(ying)(ying)(ying)分(fen)子(zi)相碰撞，可以大大降(jiang)低沉積溫度。如氮化硅的(de)(de)沉積，在(zai)等離子(zi)體(ti)(ti)增(zeng)強反應(ying)(ying)(ying)的(de)(de)情況下，反應(ying)(ying)(ying)溫度由1000K降(jiang)到(dao)600K，拓寬(kuan)了CVD技術的(de)(de)應(ying)(ying)(ying)用范圍(wei)。

六、CVD主要的應用方向

1、在切削(xue)工具方面的應用。

用(yong)CVD涂(tu)(tu)覆刀具(ju)能(neng)有(you)效地(di)控制在車、銑和(he)鉆(zhan)孔(kong)過程中出現(xian)的(de)(de)磨損。使(shi)用(yong)的(de)(de)涂(tu)(tu)層多為碳(tan)化(hua)物(wu)、氯(lv)化(hua)物(wu)、氧(yang)化(hua)物(wu)和(he)硼化(hua)物(wu)等涂(tu)(tu)層，提(ti)(ti)高(gao)、改善材料或部件的(de)(de)抗氧(yang)化(hua)、耐磨、耐蝕(shi)以及某(mou)些電(dian)學、光學和(he)摩擦學性能(neng)。目前，國(guo)外先進工業國(guo)家(jia)在齒(chi)輪(lun)上也廣(guang)泛使(shi)用(yong)涂(tu)(tu)層刀具(ju)，估計約有(you)80%齒(chi)輪(lun)滾刀和(he)40%的(de)(de)插(cha)齒(chi)刀使(shi)用(yong)了TiN涂(tu)(tu)層，涂(tu)(tu)覆后，刀具(ju)壽命增加(jia)4~8倍，并(bing)且(qie)提(ti)(ti)高(gao)了進給(gei)量和(he)切削速度，刀具(ju)的(de)(de)抗月牙磨損性能(neng)也顯著(zhu)提(ti)(ti)高(gao)。

2、在耐磨涂層機械零件方面的應用

活塞環、注射成形用缸體(ti)、擠壓用螺(luo)旋槳軸及(ji)軸承等(deng)零部件在(zai)滑動中易(yi)磨損，因此，目前進(jin)行研究和應用的(de)有(you)缸體(ti)和螺(luo)旋槳的(de)TiC涂(tu)層，鐘表(biao)軸承的(de)B涂(tu)層，滾珠軸承的(de)Si3N4涂(tu)層等(deng)，耐磨性好(hao)、摩擦(ca)因數低、與基體(ti)的(de)沾附性好(hao)。

3、微電子技術

在(zai)(zai)半導體(ti)器件和(he)集成電(dian)路的(de)基本制造(zao)流程中，有關半導體(ti)膜(mo)的(de)外延、P-N結擴(kuo)散元(yuan)的(de)形成、介質隔離、擴(kuo)散掩(yan)膜(mo)是(shi)工藝(yi)核心步驟，化(hua)學(xue)(xue)氣相沉積(ji)在(zai)(zai)制備這些(xie)材(cai)料層的(de)過程中逐漸取代了如硅(gui)(gui)的(de)高溫(wen)(wen)氧化(hua)和(he)高溫(wen)(wen)擴(kuo)散等(deng)舊工藝(yi)，在(zai)(zai)現代微(wei)電(dian)子技(ji)術組(zu)占主導地位(wei)。在(zai)(zai)超(chao)大(da)規模(mo)集成電(dian)路中，化(hua)學(xue)(xue)氣相沉積(ji)可(ke)以(yi)(yi)用來沉積(ji)多(duo)晶硅(gui)(gui)膜(mo)、鎢膜(mo)、鉛膜(mo)、氧化(hua)硅(gui)(gui)膜(mo)等(deng)，這些(xie)薄(bo)膜(mo)材(cai)料可(ke)以(yi)(yi)用作(zuo)柵電(dian)極(ji)、多(duo)層布(bu)線的(de)層間絕(jue)緣膜(mo)、金屬布(bu)線、電(dian)阻及散熱(re)材(cai)料等(deng)。

4、超(chao)導技(ji)術(shu)

CVD制(zhi)備超(chao)導材(cai)料是美國無線電公司（RCA）在20世紀60年(nian)代發明的，用化學(xue)氣相沉(chen)積(ji)生成(cheng)的Nb3Sn低溫超(chao)導材(cai)料涂層致密(mi)，厚度輕(qing)易控制(zhi)，力學(xue)性(xing)能好，是目前燒(shao)制(zhi)高(gao)場強、小型磁體的最(zui)優(you)材(cai)料。為(wei)提高(gao)Nb3Sn超(chao)導性(xing)能，很多國家在摻雜、基帶(dai)材(cai)料、脫(tuo)氫、熱處理等方面做了大(da)量研究工(gong)作，使CVD法(fa)成(cheng)為(wei)生成(cheng)Nb3Sn的主要方法(fa)之一。

5、在其他領(ling)域的(de)應用(yong)

在光學(xue)(xue)領域中，金剛石薄膜被稱為未來(lai)的(de)(de)光學(xue)(xue)材料(liao)，它具有波段透明(ming)和極其(qi)優(you)異的(de)(de)抗熱沖擊、抗輻射能力(li)，可用作大功(gong)率激光器的(de)(de)窗口材料(liao)，導彈(dan)和航空(kong)航天裝(zhuang)置的(de)(de)球罩(zhao)材料(liao)。上海交通大學(xue)(xue)把CVD金剛石薄膜制備技術應(ying)用于拉(la)拔模(mo)具，不僅攻克了涂層(ceng)均勻涂覆、附著力(li)等關鍵技術，而且解決了金剛石涂層(ceng)拋光這(zhe)一國際(ji)性難題。

圖(tu) 3 CVD技術的(de)應用

七、化學氣相沉積法在貴金屬材料方面的應用

1、生產(chan)貴(gui)金屬(shu)薄膜(mo)

貴金屬薄膜(mo)因其有著較好的(de)抗氧化(hua)能力(li)、高(gao)導電率、強催化(hua)活性以(yi)及極其穩定引起了研(yan)究者的(de)興趣。和生成貴金屬薄膜(mo)的(de)其他方(fang)式相比，化(hua)學氣相沉(chen)積(ji)法有更(geng)多技術優勢，所(suo)以(yi)大多數(shu)制(zhi)備貴金屬薄膜(mo)都會采(cai)用這種方(fang)式。沉(chen)積(ji)貴金屬薄膜(mo)用的(de)沉(chen)積(ji)員物質種類(lei)比較廣泛，不過大多是(shi)貴金屬元素的(de)鹵化(hua)物和有機化(hua)合物，比如(ru)碳酰(xian)氯、氯化(hua)碳酰(xian)鉑、氯化(hua)碳酰(xian)銥、雙環(huan)戊(wu)二烯化(hua)合物等(deng)等(deng)。

某研(yan)究(jiu)團隊將藍寶石、石英玻璃以(yi)及氧(yang)化(hua)釔穩定化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)二氧(yang)化(hua)鋯（YSZ）等作為襯底材料，深入研(yan)究(jiu)了貴金屬薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)用(yong)作電極材料的(de)(de)(de)(de)(de)(de)可行性。研(yan)究(jiu)中(zhong)(zhong)，在(zai)化(hua)學物沉積時，為了消除掉原(yuan)料因熱分解產生的(de)(de)(de)(de)(de)(de)碳(tan)(tan)(tan)，往裝置中(zhong)(zhong)通入氧(yang)氣，制備得出(chu)更有金屬光澤的(de)(de)(de)(de)(de)(de)貴金屬薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)，如若不然則最后(hou)得到的(de)(de)(de)(de)(de)(de)就(jiu)是銥(yi)碳(tan)(tan)(tan)簇膜(mo)(mo)(mo)，也就(jiu)是納米等級(ji)被(bei)晶(jing)碳(tan)(tan)(tan)層所包裹的(de)(de)(de)(de)(de)(de)銥(yi)顆粒(li)。沉積在(zai)YSZ 上(shang)面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)銥(yi)碳(tan)(tan)(tan)簇膜(mo)(mo)(mo)有著優秀的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電性能和(he)催化(hua)活性。在(zai)比較低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)溫度下，銥(yi)碳(tan)(tan)(tan)簇膜(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)界(jie)面(mian)電導率能達到純銥(yi)或(huo)者純鉑的(de)(de)(de)(de)(de)(de)百倍以(yi)上(shang)。貴金屬和(he)炭組(zu)成的(de)(de)(de)(de)(de)(de)簇膜(mo)(mo)(mo)是一(yi)種輸送多孔催化(hua)活性強的(de)(de)(de)(de)(de)(de)簇膜(mo)(mo)(mo)，在(zai)電極材料上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)使用(yong)在(zai)未來將很有潛力(li)。

2、生產(chan)貴(gui)金屬銥高(gao)溫(wen)涂(tu)層

從(cong)20世紀80年代開始，NASA 開始嘗試使用(yong)金(jin)屬(shu)有機化合物化學氣相沉積法制取出(chu)使用(yong)錸基(ji)銥作為(wei)涂層(ceng)的復合噴管(guan)，并獲得(de)了成(cheng)功，這時(shi)化學氣相沉積法在生產貴金(jin)屬(shu)涂層(ceng)領域才有了一定程度上的突(tu)破。

NASA 使用了乙酰丙(bing)酮（C15H21IrO6）作為制取(qu)銥(yi)涂(tu)層的材料，并利用 乙酰丙(bing)酮的熱分解反應進(jin)行沉積。銥(yi)的沉積速度很快，最高(gao)可以達到3~20μm/h。 沉積厚(hou)度也達到了50μm，乙酰丙(bing)酮的制取(qu)效(xiao)率高(gao)達 70%以上。

3、鈀的化學氣相(xiang)沉(chen)積(ji)

Pd 及其合(he)金(jin)(jin)對(dui)氫(qing)(qing)氣有著極強(qiang)的(de)吸附(fu)作用以及特(te)別的(de)選擇滲(shen)透性(xing)能(neng)，是一種(zhong)存儲或者凈(jing)化(hua)(hua)氫(qing)(qing)氣的(de)理(li)想材料。對(dui)于Pd 的(de)使用大多是將鈀(ba)(ba)合(he)金(jin)(jin)或是鈀(ba)(ba)鍍層(ceng)生產氫(qing)(qing)凈(jing)化(hua)(hua)設備(bei) 。也有些學者使用化(hua)(hua)學氣相(xiang)沉積法將鈀(ba)(ba)制成(cheng)薄(bo)膜或薄(bo)層(ceng)。具(ju)體(ti)做法是使用分解(jie)溫度極低的(de)金(jin)(jin)屬(shu)有機化(hua)(hua)合(he)物當做制備(bei)鈀(ba)(ba)的(de)材料，具(ju)體(ti)包括：烯丙基[β-酮亞胺]Pd（Ⅱ）、Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之類的(de)材料，使用這種(zhong)方(fang)式(shi)能(neng)夠制取出純度很高的(de)鈀(ba)(ba)薄(bo)膜。

隨著(zhu)航天航空領域、核工(gong)業(ye)(ye)和半導(dao)(dao)體等領域對(dui)于半導(dao)(dao)體器件(jian)和集成電路、高場強(qiang)小型的(de)超導(dao)(dao)材料(liao)、生(sheng)成晶(jing)須等產品要(yao)求的(de)不斷提(ti)高，化學氣相沉積(ji)技(ji)術作為重要(yao)的(de)材料(liao)制備(bei)和有(you)(you)效的(de)材料(liao)表面改性方(fang)法，具有(you)(you)十分廣闊的(de)市(shi)場應用(yong)前景。有(you)(you)學者判(pan)斷CVD今后會朝(chao)著(zhu)減少(shao)有(you)(you)害生(sheng)成物，提(ti)高工(gong)業(ye)(ye)化生(sheng)產規(gui)模的(de)方(fang)向發(fa)展。同時如何使CVD的(de)沉積(ji)溫度更(geng)加(jia)低溫化、對(dui)CVD過程更(geng)精確地控(kong)制，開發(fa)厚膜沉積(ji)技(ji)術、新型膜層材料(liao)以(yi)及新材料(liao)合成技(ji)術，將會成為今后研究的(de)主要(yao)課題。